发明名称 |
三端垂直腔面发射激光器(VCSEL)以及用于操作三端VCSEL的方法 |
摘要 |
本发明涉及三端垂直腔面发射激光器(VCSEL)以及用于操作三端VCSEL的方法,具体提供了一种三端VCSEL,该三端VCSEL具有减少的下降时间,允许VCSEL以更高的速度工作。也提供了操作该三端VCSEL的方法。当处于逻辑HIGH状态时,该VCSEL能够在不降低VCSEL的光输出的条件下以更高的速度工作。 |
申请公布号 |
CN102969652A |
申请公布日期 |
2013.03.13 |
申请号 |
CN201210321579.2 |
申请日期 |
2012.08.31 |
申请人 |
安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司 |
发明人 |
钟-伊·苏;拉斯特·玛毕夫 |
分类号 |
H01S5/183(2006.01)I;H01S5/062(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/183(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 |
代理人 |
王安武 |
主权项 |
一种三端垂直腔面发射激光器(VCSEL),其包括:衬底,其具有至少顶表面和底表面;发射极接触,其对应于第一端;第一多个n型层,其布置在所述衬底的所述顶表面的上面,其中所述第一多个n型层包括作为第一分布式布拉格反射器(DBR)工作的交替的高折射率层和低折射率层的对;至少一个n型腔限制层,其布置在所述第一多个n型层的上面;包含一个或多个量子阱的多个活性层,所述多个活性层布置在所述n型腔限制层的上面,所述活性层包括发光材料并且是轻p‑掺杂的或本征的;至少一个p型腔限制层,其布置在所述多个活性层的上面;基极接触,其布置在所述p型腔限制层上或所述p型腔限制层的一部分中,使得所述基极接触与所述活性层中的至少一个活性层接触,所述基极接触对应于VCSEL的第二端;第二多个n型层,其布置在所述p型腔限制层的一部分的上面,其中所述第二多个n型层包括作为反射器工作的交替的高折射率层和低折射率层的对;以及集电极接触,其布置在所述第二多个n型层中的至少一个n型层上或者所述第二多个n型层中的至少一个n型层的一部分中,使得所述集电极接触与所述第二多个n型层中的至少一个n型层接触,并且其中所述集电极接触对应于所述VCSEL的第三端。 |
地址 |
新加坡新加坡市 |