发明名称 |
调压电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种调压电路。该电路包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一电阻、第二电阻、可调电阻和肖特基势垒二极管;所述第一NMOS晶体管的栅极通过第一电阻连接至电压源并通过可调电阻连接至地,源极接地,漏极连接至肖特基势垒二极管的负极端、第二NMOS晶体管的栅极以及通过第二电阻连接至电压源;肖特基势垒二极管的正极端接地;第二NMOS晶体管的源极接地,漏极作为输出端的负极。体积较小、功耗小、速度高、适用于集成,电路结构简单。 |
申请公布号 |
CN202795118U |
申请公布日期 |
2013.03.13 |
申请号 |
CN201220509019.5 |
申请日期 |
2012.10.07 |
申请人 |
郑州单点科技软件有限公司 |
发明人 |
周晓东;王晓娟;王纪云 |
分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种调压电路,其特征在于,包括第一NMOS晶体管(Q1)、第二NMOS晶体管(Q2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、可调电阻(RW1)和肖特基势垒二极管(Z1);所述第一NMOS晶体管(Q1)的栅极通过第一电阻(R1)连接至电压源(VDD)并通过可调电阻(RW1)连接至地(GND),源极接地(GND),漏极连接至肖特基势垒二极管(Z1)的负极端、第二NMOS晶体管(Q2)的栅极以及通过第二电阻(R2)连接至电压源(VDD);肖特基势垒二极管(Z1)的正极端接地;第二NMOS晶体管(Q2)的源极接地(GND),漏极作为输出端(Vout)的负极。 |
地址 |
450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 |