薄膜晶体管

摘要

薄膜晶体管包括：覆盖栅电极层的第一绝缘层；与栅电极层的至少一部分重叠的源区及漏区；在第一绝缘层上，与栅电极层及一对杂质半导体层的至少一部分重叠，并在沟道长度方向上彼此相离地设置的一对第二绝缘层；接触于第二绝缘层上并彼此相离地设置的一对微晶半导体层；覆盖第一绝缘层、一对第二绝缘层及一对微晶半导体层并在一对微晶半导体层之间延伸的非晶半导体层，其中第一绝缘层为氮化硅层，并且一对第二绝缘层为氧氮化硅层。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：栅电极层；所述栅电极层上的第一绝缘层；所述第一绝缘层上的一对第二绝缘层，其中与所述栅电极层的至少一部分重叠，并在沟道长度方向上彼此相离地设置所述一对第二绝缘层；所述一对第二绝缘层上的一对微晶半导体层，其中接触于所述一对第二绝缘层并彼此相离地设置所述一对微晶半导体层；在所述第一绝缘层、所述一对第二绝缘层及所述一对微晶半导体层上的非晶半导体层，其中在所述一对微晶半导体层之间设置所述非晶半导体层的一部分；以及所述非晶半导体层上的一对杂质半导体层，其中与所述栅电极层的至少一部分重叠，并彼此相离地设置所述一对杂质半导体层，以便形成源区及漏区，其中，所述第一绝缘层为氮化硅层，并且，所述一对第二绝缘层为氧氮化硅层。