薄膜电晶体、半导体装置、显示器、结晶化方法及制造薄膜电晶体方法

摘要

本发明目的为提供一种具有高移动性及在移动性与临界电压特征具有较少变动的薄膜电晶体。以雷射光照射非单晶半导体薄膜(3)，以在横向方向单方向地生长晶体，其中该非单晶半导体薄膜(3)，其厚度少于50奈米且沉积于绝缘基板(1)，该雷射光具有一反向尖峰图样光强度分布。于是，在晶体生长方向的尺寸较宽度为长的似带状晶粒(4)在宽度方向彼此相邻设置，以形成晶粒阵列(5)。TFT的源极区域(S)及汲极区域(D)系形成为使得电流在一区域中于晶体生长方向流动，该区域包含晶粒阵列(5)的复数个晶粒(4)。