薄膜晶体管的N-型半导体材料

摘要

一种薄膜晶体管，包括有机半导体层，其包括N，N’-1，4，5，8-萘四羧酸二酰亚胺，所述化合物具有至少一个环烷基基团，所述基团在其4-位有氟化的取代基，所述取代基在环烷基基团的反式构型中采取平伏取向而在环烷基基团的顺式构型中采取直立取向。所述晶体管可以是场效应晶体管，具有电介质层，栅电极，源电极和漏电极。栅电极和有机半导体材料的薄膜均接触电介质层，源电极和漏电极均接触所述有机半导体材料的薄膜。

主权项

1.在薄膜晶体管中的有机半导体材料薄膜，所述有机半导体材料包括具有至少一个环烷基基团的N，N’-1，4，5，8-萘四羧酸二酰亚胺，所述环烷基基团在其4-位具有至少一个包含一个或多个氟原子的氟化取代基，其中N，N’-1，4，5，8-萘四羧酸二酰亚胺用下列通式I代表：其中R_c代表相对于酰亚胺基团呈C-4顺式构型的氟化取代基，和R_t代表在相对于酰亚胺基团呈C-4反式构型的氟化取代基，A₁是取代或未取代的环己基或环戊基环，Y基团独立地选自如下那些没有不利地影响由这样的化合物制造的薄膜的n-型半导体性质的有机或无机的基团：烷基，链烯基，烷氧基，芳基，芳烷基，氟，氯，氰基，含氟烷基，含羰基基团和含羧基基团，和m是从0到4的任意整数。