| 发明名称 | 适用于外延EPI工艺的零标形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种适用于EPI工艺的零标形成方法，包括以下步骤：旋涂光刻胶，进行零层曝光，刻蚀产生以硅衬底为台阶的零标；沉积衬垫氧化层。本发明可以增强零标的台阶差，提高光学对比度。 | ||
| 申请公布号 | CN102956472A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110240915.6 | 申请日期 | 2011.08.22 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王雷 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 孙大为 |
| 主权项 | 一种适用于外延EPI工艺的零标形成方法，其特征在于，包括以下步骤：旋涂光刻胶，进行零层曝光，刻蚀产生以硅衬底为台阶的零标；沉积衬垫氧化层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||