一种有机-无机杂化太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种有机-无机杂化太阳能电池，包括：金属背电极、n型硅基底层、硅纳米线阵列和电池正极；还包括：p-型空穴传输壳层；所述p-型空穴传输壳层为共轭有机物半导体薄膜；其中，n型硅基底层下表面设有金属背电极；n型硅基底层上表面设有硅纳米线阵列；硅纳米线阵列中的硅纳米线表面包覆一层p-型空穴传输壳层；p-型空穴传输壳层上设有电池正极。由于本发明采用硅纳米线阵列与共轭有机物构成三维径向的p-n结杂化结构，一方面提高对光的吸收，减少了硅的用量，降低了对硅的纯度要求，另一方面缩短了载流子传输距离，克服了载流子容易复合的问题，提高了光电转换效率。

主权项

一种有机‑无机杂化太阳能电池，包括：金属背电极、n型硅基底层、硅纳米线阵列和电池正极；其特征在于，所述有机‑无机杂化太阳能电池还包括：p‑型空穴传输壳层，所述p‑型空穴传输壳层为共轭有机物半导体薄膜；其中，n型硅基底层下表面设有金属背电极，金属背电极与n型硅基底层形成欧姆接触，收集电子并引出电极，作为电池的负极；n型硅基底层上表面设有硅纳米线阵列，硅纳米线的长度为200～2000 nm，相邻硅纳米线之间的距离为50～500 nm；硅纳米线阵列中的硅纳米线表面包覆一p‑型空穴传输壳层；p‑型空穴传输壳层上设有电池正极；所述p‑型空穴传输壳层为包覆在硅纳米线表面的共轭有机物半导体薄膜，并且，所述共轭有机物半导体薄膜的厚度为5 nm～100 nm；相邻硅纳米线表面的共轭有机物半导体薄膜相互隔开。