一种铜互联线的制作工艺

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种铜互联线的制作工艺。本发明提出一种铜互联线的制作工艺，通过在沟槽优先的铜互联工艺中采用多胺化合物材料于双重曝光技术中的两层光阻之间形成隔离膜，并依次将光阻中的通孔和金属槽结构转移至介质层，从而替代了传统将金属槽刻蚀和通孔刻蚀分为两个独立步骤的现有工艺，有效地减少了双大马士革金属互连线工艺中的刻蚀步骤，提高产能、减少制作成本。

主权项

一种铜互联线的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一硅衬底的上表面沉积一低介电常数介质层后，涂布可形成硬掩膜的第一光刻胶覆盖所述低介电常数介质层；步骤S2：曝光、显影后，去除多余的第一光刻胶，形成具有金属槽结构的第一硬掩膜光阻；步骤S3：涂布固化材料覆盖所述第一硬掩膜光阻的表面，固化形成隔离膜；步骤S4：涂布可形成硬掩膜的第二光刻胶充满所述金属槽结构并覆盖所述硬掩膜光阻的上表面； 步骤S5：曝光、显影后，去除多余的第二光刻胶，形成具有通孔结构的第二硬掩膜光阻；步骤S6：采用刻蚀工艺，依次将所述第二硬掩膜光阻中的通孔结构和所述第一硬掩膜光阻中的金属槽结构转移至所述低介电常数介质层后，继续金属沉积工艺和研磨工艺，以形成导线金属和通孔金属；其中，步骤S3中涂布固化材料固化形成所述隔离膜后，先采用酸性溶液处理多余的固化材料，再去除该多余的固化材料，形成覆盖所述第一硬掩膜光阻表面的所述隔离膜。