双栅介质层的制作方法

摘要

本实施例公开了一种双栅介质层的制作方法，包括：提供基底，所述基底包括本体层和位于所述本体层表面内的隔离沟槽STI，所述隔离沟槽将高压器件区和低压器件区隔离开；在所述基底表面上形成保护层；去除位于所述高压器件区的保护层材料，暴露出位于所述高压器件区的基底材料；在所述高压器件区的基底表面上形成高压器件的栅介质层；去除位于所述低压器件区的保护层材料，暴露出位于所述低压器件区的基底材料；在所述低压器件区的基底表面上形成低压器件的栅介质层。本发明实施例避免了较厚的栅介质层形成过程中对低压器件区的不良影响，提高了低压工艺平台对高压工艺的兼容度，保证了在工艺集成过程中原有工艺平台的稳定性。

主权项

一种双栅介质层的制作方法，其特征在于，包括：a)提供基底，所述基底包括本体层和位于所述本体层表面内的隔离沟槽STI，所述隔离沟槽将高压器件区和低压器件区隔离开；b)在所述基底表面上形成保护层，直接接触所述基底表面的保护层材料易于剥离，且剥离过程中对所述基底表面基本没有损伤；c)去除位于所述高压器件区的保护层材料，暴露出位于所述高压器件区的基底材料；d)在所述高压器件区的基底表面上形成高压器件的栅介质层；e)去除位于所述低压器件区的保护层材料，暴露出位于所述低压器件区的基底材料；f)在所述低压器件区的基底表面上形成低压器件的栅介质层。