| 发明名称 | 一种存储器件及其的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种存储器件，包括：晶体管区，所述晶体管区内形成有至少一层的晶体管；互连结构区，包括至少一层的相互连的金属层，所述互连结构区位于晶体管区的上方，且与所述晶体管区电连接；位于所述互连结构区与晶体管区之间，还形成有磁性隧道结区。本发明还提供一种存储器件的形成方法。通过将原位于互连结构区内的磁性隧道结放置于晶体管区和互连结构区之间的区域，使得所述磁性隧道结不受制所述互连结构区内的金属层的尺寸限制，可以减小磁性隧道结的尺寸，以提高存储器件内的磁性隧道结的数目密度，提高存储器件的存储容量。 | ||
| 申请公布号 | CN102931205A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201110231646.7 | 申请日期 | 2011.08.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吴关平;曾贤成 |
| 分类号 | H01L27/22(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种存储器件，其特征在于，包括：晶体管区，所述晶体管区内形成有至少一层的晶体管；互连结构区，所述互连结构区位于晶体管区的上方，且与所述晶体管区电连接；位于所述互连结构区与晶体管区之间，还形成有磁性隧道结区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||