一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法

摘要

本发明公开了一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法，该方法包括：在氮化镓基场效应晶体管的栅极和源极或者漏极之间加载电压；电容-电压测量仪的内置电源提供Vgs或者Vgd端口电压的自动扫描，获得Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；对氮化镓基场效应晶体管器件采用表面钝化处理，然后再次测量器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；比较表面钝化处理前后器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线，当Vgs或Vgd低于器件阈值电压为沟道关态电容，当Vgs或Vgd高于器件阈值电压为沟道开态电容，从沟道关态电容和沟道开态电容的相对变化量来衡量表面钝化处理的效果好坏。利用本发明，解决了器件表面态导致器件产生严重的电流崩塌以及器件漏电大的问题。

主权项

一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法，其特征在于，该方法采用电容‑电压测量仪，具体包括：步骤10：在氮化镓基场效应晶体管的栅极和源极或者漏极之间加载电压，具体包括：在电容‑电压测量仪的High端口接氮化镓基场效应晶体管的栅端口G，采用正电压加载到G端，电容‑电压测量仪的Low端口接氮化镓基场效应晶体管的源端口S或者漏端口D；步骤20：电容‑电压测量仪的内置电源提供Vgs或者Vgd端口电压的自动扫描，获得Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；步骤30：对氮化镓基场效应晶体管器件采用表面钝化处理，然后再次测量器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；步骤40：比较表面钝化处理前后器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线，当Vgs或Vgd低于器件阈值电压为沟道关态电容，当Vgs或Vgd高于器件阈值电压为沟道开态电容，从沟道关态电容和沟道开态电容的相对变化量来衡量表面钝化处理的效果好坏，且当沟道关态电容和沟道开态电容的相对变化量大时表明表面钝化处理的效果好。