| 摘要 |
本发明之目的在提供一种用于改进SiC层品质的方法，该方法是藉着高温退火有效地减少或排除载子捕获中心(carrier trapping center)而达成，并提供藉由该方法所制造的SiC半导体元件。;一种藉由排除或减少一些载子捕获中心而改进SiC层品质的方法包括以下步骤：(a)在起始SiC晶体层(E)的浅表面层(shallow surface layer)(A)中进行碳原子(C)、矽原子、氢原子或氦原子的离子植入(ion implantation)，以导入过量的碳间隙原子(carbon interstitial)至植入表面层(implanted surface layer)内；以及(b)加热该层，以使碳间隙原子(C)自植入表面层(A)扩散进入块状层(bulk layer)(E)，且使块状层中的电活化点缺陷变为不活化。在上述步骤之后，表面层(A)可经蚀刻或机械方式移除。本发明的半导体元件系藉由该方法制造者。 |
