发明名称 Energie-effizientes Verfahren zum Züchten von polykristallinem Silicium
摘要 Polysiliciumdendrite werden durch Ablagern von Silicium auf einem Polysiliciumstab oder einem anderen Substrat gezüchtet. Die Oberflächentemperatur wird auf eine Temperatur erhöht, bei der nadelartige Dendriten aufgrund der Ablagerung von Silicium aus siliciumhaltigen Molekülen in der umgebenden Reaktoratmosphäre gebildet werden. Anschließend wird die Oberflächentemperatur schrittweise reduziert, so dass Silicium, das sich auf den nadelartigen Dendriten ablagert, dazu führt, dass die Dendriten wachsen und eine im allgemeinen konisch erweiterte Struktur annehmen.
申请公布号 DE10392291(B4) 申请公布日期 2013.01.31
申请号 DE2003192291 申请日期 2003.02.13
申请人 REC SILICON INC. 发明人 WINTERTON, LYLE C.;HILL, JOHN PETER
分类号 C01B33/029;C01B33/035;C01B33/03;C30B25/00;C30B29/60 主分类号 C01B33/029
代理机构 代理人
主权项
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