一种自发生长金属纳米晶颗粒的P／N型叠层阻变存储器

摘要

一种自发生长金属纳米晶颗粒的P／N型叠层阻变存储器，由下电极、诱导层I、诱导层II和上电极依次叠层构成，下电极为在正向电场作用下易于被氧化为金属离子的金属，诱导层I为N型氧化物，诱导层II为P型氧化物，上电极为在电场作用下性质稳定的金属或导电化合物；所述下电极在正向电场作用下在诱导层I中自发生长金属纳米晶颗粒，在对下电极加反向负偏压时变成低电阻从而进行存储数据“1”的操作，而对下电极加正向或反向偏压时变成高电阻从而进行存储数据“0”的操作。本发明的优点是：该阻变存储器利用金属纳米晶作为导电通道的诱导因素，通过诱导层I控制纳米晶形成的数量，可有效控制器件电压和电流的波动，提高存储器的可控性。

主权项

一种自发生长金属纳米晶颗粒的P／N型叠层阻变存储器，其特征在于：由下电极、诱导层I、诱导层II和上电极依次叠层构成，下电极为在正向电场作用下易于被氧化为金属离子的金属，诱导层I为N型氧化物，诱导层II为P型氧化物，上电极为在电场作用下性质稳定的金属或导电化合物，下电极、诱导层I、诱导层II和上电极的厚度分别为5‑200nm。