| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中于该第二引线之暴露端的相对端系连接至多数之非连接垫,该连接垫不具有电气连接且形成于该半导体晶片上。3.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中于该第二引线之暴露端的相对端系终止于该树脂包封体内。4.一种半导体元件,其包含:一半导体晶片;一封装该半导体晶片之树脂包封体;多数之形成于该面向一印刷电路板之树脂包封体之底面的安装端子,该安装端子凸出于该树脂包封体之底面;多数之引线,其一端与该半导体晶片相接,且另一端透过该形成于该树脂包封体之底面上的第一金属薄膜而连接至该安装端子;以及多数之第二金属薄膜,其透过该树脂包封体的底面而暴露之。5.如申请专利范围第4项之半导体元件,其中多数之加强线系以一端连接至该第二金属薄膜,且另一端连接至该多数之非连接垫,该非连接垫系形成于该半导体晶片上且不具有电气连接。6.如申请专利范围第4项之半导体元件,其中多数之加强线系以一端连接至该第二金属薄膜,且另一端终止于该树脂包封体内。7.一种半导体元件,其包含:一半导体晶片;一封装该半导体晶片之树脂包封体;多数之作为安装端子之凸出电极;其中该等凸出电极具有平坦的顶端表面。图式简单说明:第1图系为一习知技术之半导体元件的截面图;第2A到2B图系例示说明习知半导体元件的问题;第3图系为本发明之第一具体实施例之半导体元件的截面图;第4A到4D图系说明制造本发明之第一具体实施例之半导体元件的方法;第5图系为本发明之第二具体实施例之半导体元件的底面图;第6图系为本发明之第三具体实施例之半导体元件的底面图;第7图系为本发明之第四具体实施例之引线接合制程后之半导体元件的平面图;第8图系为本发明之第五具体实施例之引线接合制程后之半导体元件的平面图;第9图系为本发明之第六具体实施例之引线接合制程后之半导体元件的平面图;第10图系为本发明之第六具体实施例之半导体元件之引线配置部位的放大截面图;第11图系为本发明之第七具体实施例之引线接合制程后之半导体元件的平面图;第12A至12B图系例示说明本发明之第七具体实施例之半导体元件;第13图系为本发明之第八具体实施例之半导体元件的截面图;第14A到14D图系说明制造本发明之第八具体实施例之半导体元件的方法;第15图系为本发明之第九具体实施例之半导体元件的底面图;第16图系为本发明之第十具体实施例之半导体元件的底面图;第17图系为本发明之第十一具体实施例之半导体元件的底面图;第18图系为本发明之第十二具体实施例之引线接合制程后之半导体元件的平面图;第19图系为本发明之第十三具体实施例之引线接合制程后之半导体元件的平面图;第20图系为本发明之第十四具体实施例之半导体元件之引线配置部位的放大截面图;第21图系为本发明之第十五具体实施例之半导体元件的截面图;第22A到22B图系说明制造本发明之第十五具体实施例之半导体元件的方法;第23图系说明制造本发明之第十五具体实施例之半导体元件的方法;第24A到24B图系说明制造本发明之第十五具体实施例之半导体元件的方法;第25图系为本发明之第十六具体实施例之半导体元件的截面图;第26A到26C图系说明制造本发明之第十六具体实施例之半导体元件的方法;第27图系为本发明之第十七具体实施例之半导体元件之引线配置部位的放大截面图。 |
