| 发明名称 | 用于生长半导体装置的复合生长衬底 | ||
| 摘要 | 根据本发明的实施例的一种方法包含提供包括施主层及应变层的外延结构。该外延结构经处理以致使该应变层松弛。该应变层的松弛致使该施主层的面内晶格常数改变。 | ||
| 申请公布号 | CN102893373A | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201180024753.0 | 申请日期 | 2011.04.27 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 发明人 | A·Y·金 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘鹏;汪扬 |
| 主权项 | 一种方法，其包括：提供外延结构，所述外延结构包括： 施主层，其中所述施主层是其上可生长半导体结构的材料；以及 应变层；处理所述外延结构以致使所述应变层松弛，其中所述应变层的松弛致使所述施主层的面内晶格常数改变。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||