发明名称 用于热处理支撑塔的可卸式边缘环
摘要 本发明公开一种边缘环(152)以被支撑在炉管(160)内的垂直塔(140)上的晶圆(30)的批式热处理。边缘环具有大约重叠晶圆周围的宽度,且可卸地在晶圆之间被等间隔地可卸地支撑在所述塔上,以减少热边缘效应。所述边缘环可具有内凹部或外凹部以扣住在支撑晶圆塔脚件(142、144、146)的指部上或所述指部附近的结构,或者被形成在边缘环侧面上的一个或多个台阶可以滑动且随后落在与支撑指部关联的锁扣突脊下方。较佳者,所述塔与所述边缘环及邻近热区的炉管的其它构件(168、180)是由硅所组成。
申请公布号 CN101627151B 申请公布日期 2013.01.16
申请号 CN200680024914.5 申请日期 2006.06.26
申请人 磁性流体技术(美国)集团公司 发明人 汤姆·L·卡德韦尔;拉阿南·柴海威;迈克尔·斯凯拉
分类号 C30B11/00(2006.01)I;B65D85/00(2006.01)I 主分类号 C30B11/00(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国;陈红
主权项 一种塔组件,所述塔组件包含:垂直支撑塔,所述垂直支撑塔包括两个基座和多个脚件,所述多个脚件固定至所述基座且轴向延伸;多个指部,自所述多个脚件的每个脚件径向向内延伸,用以可卸地且直接地支撑在平行的水平方位中的多个晶片以及用以可卸地且直接地支撑位在相邻晶片之间的多个边缘环,其中所述边缘环径向向外延伸超过所述晶片的直径;并且其中所述多个指部每个包括:径向向内的晶片支撑表面,定位在晶片支撑表面高度处;径向向外的环支撑表面,定位在晶片支撑表面高度下方的环支撑表面高度处;定位在晶片直径外面的突脊,用以对齐在所述塔上的晶片,所述突脊在晶片支撑表面高度上方延伸,所述晶片被支撑在所述晶片支撑表面上;以及倾斜区块,所述倾斜区块在所述突脊和所述径向向外的环支撑表面之间延伸。
地址 美国加利福尼亚州