一种改善双大马士革工艺中缺陷的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种改善双大马士革工艺中缺陷的方法。本发明提出一种改善双大马士革工艺中缺陷的方法，通过在沟槽刻蚀工艺中增加一步在高压力高频射频环境下，以CO/N2混合气体主蚀刻气体的工艺步骤，利用CO吸收主反应气体F的同时，N2在已经开出的沟槽的侧壁上形成C-N保护层，该保护层在后续的刻蚀工艺中，能有效的改善侧墙的kink或bowing等特定缺陷，进而有利于后续埋层及Cu填充工艺，减少填充和研磨缺陷，提高产品良率。

主权项

一种改善双大马士革工艺中缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一制备有底部金属的半导体结构的上表面上，从下至上顺序依次沉积介电质层、氧化物层和金属层；步骤S2：刻蚀所述金属层至所述氧化物层中，形成沟槽图形；步骤S3：以剩余的金属层为掩膜，在高压力高射频的环境下，采用CO/N2混合气体为主刻蚀气体刻蚀剩余的氧化物层至所述介电质层中，形成沟槽结构；其中，该所述沟槽结构位于剩余的介电质层中的底部和侧边上形成有C‑N保护层；步骤S4：继续刻蚀保护层和剩余的介电质层至所述底部金属中。