Maskierungsverfahren, Verwendung des Verfahrens und Zwischenprodukt und Verfahren zur Herstellung einer Kontakt-Struktur für ein Halbleiter-Bauelement

摘要

Verfahren zur Maskierung eines Halbleiter-Substrats (1) umfassend die folgenden Schritte: a. Bereitstellen eines flächigen Halbleiter-Substrats (1) mit i. einer ersten Seite (2) und ii. einer dieser gegenüberliegenden zweiten Seite (3), b. Aufbringen einer Maske (4) auf mindestens eine der Seiten (2, 3), c. wobei zum Aufbringen der Maske (4) ein Extrusionsdruck-Verfahren vorgesehen ist, d. wobei die Maske (4) mindestens zwei aneinander angrenzende Bereiche mit unterschiedlichen Maskenmaterialien (11, 12) aufweist, e. wobei die Maskenmaterialien (11, 12) gleichzeitig auf das Halbleiter-Substrat (1) aufgebracht werden, und f. wobei ein erstes Maskenmaterial (12) ein Auseinanderlaufen eines zweiten Maskenmaterials (11) verhindert, g. wobei die Maske (4) beim Aufbringen eine Viskosität von mindestens 1 Pa·s aufweist.