磁阻效应元件的制造方法

摘要

本发明提供了一种具有低RA但高MR比的磁阻效应元件的制造方法以及制造设备。通过在成膜成所述MgO层的室内设置的构件（第一成膜室21内部的成膜室内壁37、遮护板36的内壁、隔板22和遮挡体等）的表面上附着有对氧和水等氧化性气体的吸气效果大的物质的成膜室内，成膜成所述MgO层，来制造在第一强磁性层和第二强磁性层之间具有MgO（氧化镁）层的磁阻效应元件。吸气效果大的物质为氧气吸附能的值为145kcal/mol以上的物质即可，特别优选作为构成所述磁阻效应元件的物质的Ta（钽）。

主权项

一种磁阻效应元件的制造方法，该制造方法为具有第一强磁性层、位于该第一强磁性层上的MgO层和位于该MgO层上的第二强磁性层的磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，溅射含有对氧化性气体的吸气效果比MgO大的、且在构成所述磁阻效应元件的物质中吸气效果最大的物质的靶，在成膜室的构件上附着该物质；在所述吸气效果最大的物质附着在所述成膜室的构件的最表面的状态下，在所述成膜室中，在所述MgO靶上施加高频率电力通过溅射法形成所述MgO层。