利用种子层电化学制备热电薄膜的方法

摘要

本发明属于电化学制备热电材料领域，涉及利用种子层电化学制备热电薄膜的方法。具体为先利用分子束外延、磁控溅射等方式在衬底上制备具有纳米量级厚度的种子层，然后用电化学方法生长热电薄膜材料，膜厚可达微米级别。通过这种方法可以控制外延薄膜的生长取向，制备出具有明显柱状结构取向的热电薄膜，从而提高电化学生长薄膜的热电性能。结合电化学自身低成本，生长方便的特点，为将来组装热电器件提供材料制备基础。

主权项

利用种子层电化学制备热电薄膜的方法，其特征在于，利用硅片、铝片、玻璃片或者不锈钢片作为基片，在沉积前硅片用RCA湿式化学清洗工艺方法进行清洗；玻璃片分别用清洁剂、丙酮和无水乙醇超声清洗；用分子束外延或者磁控溅射沉积一层纳米级别厚度为10~200nm的种子层，再用电化学在种子层上进行恒电势沉积；电化学沉积用铂网作为阳极，硅片或者玻璃片作为阴极；沉积过程采用恒电势沉积，电位范围为‑0.05 v~‑5 v，沉积温度在10~50℃，沉积完以后将样品进行热退火处理以提高结晶度，退火温度为100℃~500℃。