发明名称 |
一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法 |
摘要 |
本发明提供一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法,其步骤包括:在氮化镓基器件表面淀积保护层;在保护层上涂敷光刻胶,并对待腐蚀区域进行光刻;刻蚀待腐蚀区域的保护层;去除剩余光刻胶;对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化处理;将氧化处理后的氮化镓基器件置于腐蚀性溶液中进行腐蚀。本发明可制得槽底平整、台阶边缘光滑的腐蚀槽,并能有效减少对器件造成的损伤,适用于氮化镓基器件的隔离工艺以及其它腐蚀工艺。 |
申请公布号 |
CN102856188A |
申请公布日期 |
2013.01.02 |
申请号 |
CN201210277907.3 |
申请日期 |
2012.08.06 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
蔡金宝;王金延;刘洋;徐哲;王茂俊;于民;解冰;吴文刚 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
余长江 |
主权项 |
一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法,其步骤包括:1)在氮化镓基器件表面淀积保护层:2)在所述保护层上涂敷光刻胶,并光刻腐蚀图形;3)刻蚀待腐蚀区域的保护层;4)去除剩余光刻胶;5)对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化处理;6)将氧化处理后的氮化镓基器件置于腐蚀性溶液中进行腐蚀。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |