| 发明名称 | 高性能底接触有机薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高性能底接触有机薄膜晶体管，要解决的技术问题是增大载流子的注入面积，减小器件电极与功能层材料之间的接触电阻，降低TFT沟道有机半导体材料与电极之间的功函数差。本发明采用以下技术方案：一种高性能底接触有机薄膜晶体管，由衬底、设在衬底上表面的栅介质层、设在栅介质层上的有机功能层及设在有机功能层内与栅介质层相接触的电极组成，所述电极4与栅介质层之间设有有机牺牲层。与现有技术相比，采用在电极与栅介质层的接触面设置一层有机牺牲层，改善有机半导体材料与电极之间的接触，从而改善载流子的注入电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN102856496A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201110183353.6 | 申请日期 | 2011.07.01 |
| 申请人 | 康佳集团股份有限公司 | 发明人 | 李元元 |
| 分类号 | H01L51/10(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人 | 孙皓;林虹 |
| 主权项 | 一种高性能底接触有机薄膜晶体管，由衬底(1)、设在衬底上表面的栅介质层(2)、设在栅介质层(2)上的有机功能层(3)及设在有机功能层(3)内与栅介质层(2)相接触的电极(4)组成，其特征在于：所述电极(4)与栅介质层(2)之间设有有机牺牲层(5)。 | ||
| 地址 | 518053 广东省深圳市南山区华侨城 | ||