具有ｐｎ接合之化合物半导体磊晶基板之制造方法

摘要

为藉由选择成长法制造具有pn接合之化合物半导体磊晶基板之制造方法，其特征为：使用残留应变之平均值为1.0×10-5的原基板之下述方法。