发明名称 透明导电膜及其制造方法
摘要 本发明提供一种即使在ZnO系透明导电薄膜之膜厚较薄之情况下(特别是膜厚为100 nm左右以下之情况下)亦可显示出低电阻值、并且在湿热环境下电阻值之变化率亦较小的透明导电膜及其制造方法。本发明之透明导电膜含有有机高分子膜基材(1),其特征在于具有:形成于有机高分子膜基材(1)上之可见光透过率较高的第一氧化物薄膜(2)、以及形成于第一氧化物薄膜(2)上之ZnO系透明导电薄膜(3),第一氧化物薄膜(2)在形成ZnO系透明导电薄膜(3)之前的氧量为化学计量值之60~90%。
申请公布号 TWI381401 申请公布日期 2013.01.01
申请号 TW098112859 申请日期 2009.04.17
申请人 日东电工股份有限公司 日本 发明人 佐佐和明
分类号 H01B5/14;C23C14/06 主分类号 H01B5/14
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本