双层面记忆体错误修正方法以及相关的记忆体装置

摘要

在双层面的NAND记忆体装置中，欲修正其中一层面的一第一页的资料错误，利用另一层面中的一第二页资料，与该第一页的资料内容进行混合的错误修正编码，将该第一页以及该第二页的错误修正码分别分成内修正码以及外修正码，利用各自的内修正码先修正各页的错误位元，再利用外修正码分别修正两页之奇数位元组以及偶数位元组的错误位元。利用另一错误率较少的页，在不增加错误修正码的长度的情况下，使单一页中的错误修正码的除错能力提升。