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发明名称
发光二极体结构及其多量子井结构与制造方法
摘要
本发明系提供一种发光二极体之多量子井(MQW)结构及其制造方法,该多量子井结构包含数个量子井结构,该量子井结构各自包含一阻障层及一井层,该井层具有量子点奈米结构嵌于其内且该井层形成在该阻障层上。该阻障层及井层包含一第一金属氮化物基材,且至少一该量子井结构另包含一盖层,该盖层形成在该井层上并包含一第二金属氮化物基材,其金属元素系不同于该第一金属氮化物基材之金属元素。
申请公布号
TWI381554
申请公布日期
2013.01.01
申请号
TW097139009
申请日期
2008.10.09
申请人
新加坡科技研究局 新加坡
发明人
苏周明;蔡树仁;刘伟;滕京华
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
刘育志 台北市大安区敦化南路2段77号19楼
主权项
地址
新加坡
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