发明名称 |
用于优化X射线噪声性能的像素结构 |
摘要 |
提供了一种用于图像传感器的像素(100),其中,像素(100)基于掺杂基板(110),在该掺杂基板上设置了轻掺杂的外延层(120)。感光结构(130)和绝缘反向偏置阱(140)被限定在外延层(120)中,并且感光结构(130)被封装在反向偏置阱(140)中。可选地,或作为补充,像素(100)包括遍及外延层的全部或至少主要部分在感光结构(130)的各侧上延伸的绝缘阱,以提供与图像传感器的相邻像素的绝缘。 |
申请公布号 |
CN102844866A |
申请公布日期 |
2012.12.26 |
申请号 |
CN201180019119.8 |
申请日期 |
2011.04.01 |
申请人 |
斯基恩特-X公司 |
发明人 |
奥洛夫·斯韦诺纽斯 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;G01T1/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;吴孟秋 |
主权项 |
一种用于图像传感器的像素(100),其中,所述像素(100)基于掺杂基板(110),在所述掺杂基板上设置了轻掺杂的外延层(120),其中,感光结构(130)和绝缘反向偏置阱(140)被限定在所述外延层(120)中,并且所述感光结构(130)被封装在所述反向偏置阱(140)中。 |
地址 |
瑞典希斯塔 |