| 发明名称 | 一种MOS管过流自恢复保护电路 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种MOS管过流自恢复保护电路，包括驱动电路(1)和保护电路(2)，其特征在于：驱动电路(1)由微控制器IC1、续流二极管D1、MOS管Q2及负载R0连接而成，保护电路(2)由分压电阻R2～R4、开关二极管D2、滤波电容C1及保护三极管Q1连接而成；保护电路(2)的电压检测端连接驱动电路(1)的驱动信号输出端，保护电路(2)通过检测驱动电路的输出电流来判断驱动电路(1)的MOS管的工作状态，通过保护三极管Q1控制MOS管G极电压，防止MOS管被击穿。本实用新型结构简单、可靠性高、成本低，可自恢复并且不对主电流回路增加负载，应用该电路的机器维修方便，具有广阔的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN202633918U | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201220152336.6 | 申请日期 | 2012.04.11 |
| 申请人 | 佛山市顺德区瑞德电子实业有限公司 | 发明人 | 汪军;廖中原 |
| 分类号 | H02H7/20(2006.01)I;H02H3/08(2006.01)I;H02H3/06(2006.01)I | 主分类号 | H02H7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州广信知识产权代理有限公司 44261 | 代理人 | 张文雄;罗晶 |
| 主权项 | 一种MOS管过流自恢复保护电路，包括驱动电路(1)和保护电路(2)，其特征在于：驱动电路(1)由微控制器IC1、续流二极管D1、MOS管Q2及负载R0连接而成，保护电路(2)由分压电阻R2～R4、开关二极管D2、滤波电容C1及保护三极管Q1连接而成；保护电路(2)的电压检测端连接驱动电路(1)的驱动信号输出端，保护电路(2)通过检测驱动电路的输出电流来判断驱动电路(1)的MOS管的工作状态，通过保护三极管Q1控制MOS管G极电压，防止MOS管被击穿。 | ||
| 地址 | 528300 广东省佛山市顺德区大良凤翔工业园华业路1号 | ||