发明名称 一种具有长焦深之雷射装置
摘要 一种具有长焦深(Depth of Focus)之雷射装置,其包括:一个雷射源及一个光学模组。该雷射源用于发射单波长紫外光。该光学模组包括一个设置于该单波长紫外光光路上之第一光学元件,该第一光学元件具有一个邻近该雷射源之第一表面及一个与该第一表面相对之第二表面,该第一表面与该第二表面中至少一者为非球面以用于使该单波长紫外光会聚于一点。
申请公布号 TWI380541 申请公布日期 2012.12.21
申请号 TW097127370 申请日期 2008.07.18
申请人 晶鼎能源科技股份有限公司 发明人 韦安琪;陈志隆
分类号 H01S3/02 主分类号 H01S3/02
代理机构 代理人
主权项 一种具有长焦深之雷射装置,包括:一个雷射源,其用于发射单波长紫外光;一个光学模组,其包括一个设置于该单波长紫外光光路上之第一光学元件,该第一光学元件具有一个邻近该雷射源之第一表面及一个与该第一表面相对之第二表面,该第一表面与该第二表面中至少一者为非球面以用于使该单波长紫外光会聚于一点,该光学模组进一步包括一个第一反射元件及一个第二反射元件,该第一反射元件与该第二反射元件设置于该雷射源与该第一光学元件之间,该第一反射元件之焦距f1与该第二反射元件之焦距f2,满足以下条件式:| f1 |+| f2 |=d | f2 |/| f1 |=2fw/BGDOF其中,d表示该第一反射元件与该第二反射元件之顶点间距,f表示该第一光学元件之焦距,w表示该雷射源发射出之单波长紫外光经由该光学模组出射后所形成之光斑之直径,B表示该雷射源发射出之单波长紫外光之光束直径,GDOF表示该雷射装置之几何焦深。如申请专利范围第1项所述之雷射装置,其中,该第一表面与该第二表面之另一者为球面。如申请专利范围第1项所述之雷射装置,其中,该第一表面或该第二表面为平面或圆柱面。如申请专利范围第1项所述之雷射装置,其中,该第一光学元件为一锥形透镜。如申请专利范围第1项所述之雷射装置,其中,该光学模组进一步包括一个第二光学元件,该第二光学元件设置于该第一光学元件之远离该雷射源之一侧,该第二光学元件具有一个邻近该第一光学元件之第三表面及与该第三表面相对之第四表面。如申请专利范围第5项所述之雷射装置,其中,该第三表面与该第四表面中至少一者为非球面。如申请专利范围第5项所述之雷射装置,其中,该第三表面与该第四表面为平面、球面或圆柱面。如申请专利范围第1项所述之雷射装置,其中,该第一反射元件与该第二反射元件为椭球面反射镜。如申请专利范围第1项所述之雷射装置,其中,该第一反射元件与该第二反射元件为抛物面反射镜。
地址 苗栗县竹南镇新竹科学工业园区科中路16号