| 主权项 |
一种具反射层之发光元件，系包含：一发光二极体；以及一反射层，设于该发光二极体，并包含复数介电层，且该些介电层之材料种类分为两种以上及其厚度分为两种以上，其中该些介电层之材料分为两种及其厚度分为两种之组合除外；其中该反射层之穿透率系不超过百分之二十。如申请专利范围第1项所述之具反射层之发光元件，其中该反射层之厚度系介于3000与500000之间。如申请专利范围第1项所述之具反射层之发光元件，其中该些介电层中相邻的该二介电层之材料种类为不同。如申请专利范围第1项所述之具反射层之发光元件，其中该些介电层之材料选自氧化矽、氧化钛、氧化锌、氧化铌、氧化钽、氧化铝、氧化铟、氧化镁、氧化锡及上述组合之氧化物中择其一者。如申请专利范围第1项所述之具反射层之发光元件，其中该些介电层之材料选自氮化矽、氮化钛、氮化锌、氮化铌、氮化钽、氮化铝、氮化铟、氮化镁、氮化锡及上述组合之氮化物中择其一者。如申请专利范围第1项所述之具反射层之发光元件，更包含：一热传导层，设于该反射层，并与该发光二极体相对。如申请专利范围第6项所述之具反射层之发光元件，其中该反射层更设置复数热传导通道。如申请专利范围第6项所述之具反射层之发光元件，其中该热传导层之材料系选自金锡合金、铜钨合金及其他具高热传导系数之金属合金中择其一者。如申请专利范围第1项所述之具反射层之发光元件，其中该发光二极体包含一磊晶结构，该反射层设于该磊晶结构。如申请专利范围第9项所述之具反射层之发光元件，更包含：一承载平台，设于该反射层之一侧，并利用复数金属凸块与设有该反射层之该磊晶结构接合。如申请专利范围第10项所述之具反射层之发光元件，其中该发光二极体更包含一基板，该基板设于该磊晶结构，并与该反射层相对。如申请专利范围第10项所述之具反射层之发光元件，其中该承载平台与设有该反射层之该磊晶结构间设有一支撑层。如申请专利范围第12项所述之具反射层之发光元件，其中该支撑层之材料为有机高分子材料。一种具反射层之发光元件，系包含：一发光二极体，包含一磊晶结构；一承载平台，设于该磊晶结构之一侧；以及一反射层，设于该承载平台，并利用复数金属凸块将该承载平台设有该反射层之一侧与该磊晶结构接合，而该反射层包含复数介电层，该些介电层之材料种类分为两种以上及其厚度分为二种以上，除了该些介电层之材料为两种及其厚度为两种之组合之外。如申请专利范围第14项所述之具反射层之发光元件，其发光二极体更包含一基板，该基板设于该磊晶结构，并与该承载平台相对。如申请专利范围第14项所述之具反射层之发光元件，其中该反射层之穿透率系不超过百分之二十。如申请专利范围第14项所述之具反射层之发光元件，其中该反射层之厚度系介于3000与500000之间。如申请专利范围第14项所述之具反射层之发光元件，其中该些介电层中相邻的该二介电层之材料种类为不同。如申请专利范围第14项所述之具反射层之发光元件，其中该些介电层之材料选自氧化矽、氧化钛、氧化锌、氧化铌、氧化钽、氧化铝、氧化铟、氧化镁、氧化锡及上述组合之氧化物中择其一者。如申请专利范围第14项所述之具反射层之发光元件，其中该些介电层之材料选自氮化矽、氮化钛、氮化锌、氮化铌、氮化钽、氮化铝、氮化铟、氮化镁、氮化锡及上述组合之氮化物中择其一者。如申请专利范围第14项所述之具反射层之发光元件，其中该反射层与该磊晶结构间更设有一支撑层。如申请专利范围第21项所述之具反射层之发光元件，其中该支撑层之材料为有机高分子材料。一种反射层之结构，系包含复数介电层，该些介电层之材料种类分为两种以上及其厚度分为二种以上，但该些介电层之材料为两种及其厚度为两种之组合除外。如申请专利范围第23项所述之反射层之结构，其中该反射层之穿透率系不超过百分之二十。如申请专利范围第23项所述之反射层之结构，其中该反射层之厚度系介于3000与500000之间。如申请专利范围第23项所述之反射层之结构，其中该些介电层中相邻的该二介电层之材料种类为不同。如申请专利范围第23项所述之反射层之结构，其中该些介电层之材料选自氧化矽、氧化钛、氧化锌、氧化铌、氧化钽、氧化铝、氧化铟、氧化镁、氧化锡及上述组合之氧化物中择其一者。如申请专利范围第23项所述之反射层之结构，其中该些介电层之材料选自氮化矽、氮化钛、氮化锌、氮化铌、氮化钽、氮化铝、氮化铟、氮化镁、氮化锡及上述组合之氮化物中择其一者。 |
