发光二极体与其制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极体元件。LED具有一基材，一反射结构形成于基材之上，与一LED结构形成于反射结构之上。此反射结构由非金属材料所组成。于一实施例中，反射结构由交替的、具有不同折射率之非金属材料所阻成。于另一实施例中，反射结构由交替的高孔隙度矽层与低孔隙度矽层所组成。于又一实施例中，反射结构由二氧化矽所组成，其可使用较少层之反射层。反射结构可以直接形成于与LED结构相同之基材上，或者是分别形成反射结构与LED结构，之后再将反射结构接合至LED结构。

主权项

一种发光二极体(LED)元件，包括：一基材；一非金属反射层位于该基材之表面上；复数个散热孔穿过该非金属反射层；以及一发光二极体(LED)结构形成于该非金属反射层之上。如申请专利范围第1项所述之发光二极体(LED)元件，其中该非金属反射层包括交替的一第一材料与一第二材料，其中该第一材料与该第二材料各自为一非金属材料。如申请专利范围第1项所述之发光二极体(LED)元件，其中该非金属反射层包括交替的矽(Si)与碳化矽(SiC)。如申请专利范围第1项所述之发光二极体(LED)元件，其中该反射层包括交替的矽(Si)与矽化锗(SixGe1-x)、矽(Si)与碳化矽(SixC1-x)、矽化锗(SixGe1-x)与碳化矽(SixC1-x)或碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)。如申请专利范围第1项所述之发光二极体(LED)元件，其中该非金属反射层包括二氧化矽。如申请专利范围第1项所述之发光二极体(LED)元件，其中该非金属反射层包括交替的高孔隙度(high-porosity)矽层与低孔隙度(low-porosity)矽层。如申请专利范围第1项所述之发光二极体(LED)元件，其中该非金属反射层包括全方位反射器(omni-directional reflector)。一种发光二极体(LED)元件，包括：一基材；一反射结构位于该基材之第一侧，其中该反射结构包括至少一第一材料与一第二材料，其中该第一材料与该第二材料具有不同的折射率且为非金属，其中复数个散热孔穿过该反射结构；以及一发光二极体(LED)结构形成于该反射结构之上。如申请专利范围第8项所述之发光二极体(LED)元件，其中该反射结构包括交替的高孔隙度(high-porosity)矽层与低孔隙度(low-porosity)矽层。如申请专利范围第9项所述之发光二极体(LED)元件，其中该发光二极体(LED)结构为垂直式LED。如申请专利范围第8项所述之发光二极体(LED)元件，其中该反射结构包括交替的矽(Si)与矽化锗(SixGe1-x)、矽(Si)与碳化矽(SixC1-x)、矽化锗(SixGe1-x)与碳化矽(SixC1-x)或碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)。如申请专利范围第8项所述之发光二极体(LED)元件，其中该反射结构包括二氧化矽。一种发光二极体(LED)元件之制造方法，包括：提供一第一基材；形成一反射结构于该第一基材之上，其中该反射结构为一非金属结构；形成复数个散热孔穿过该反射结构；以及形成一发光二极体(LED)结构位于该反射结构之上。如申请专利范围第13项所述之发光二极体(LED)元件之制造方法，其中形成该发光二极体(LED)结构包括：形成该发光二极体(LED)于一第二基材之上；接合该发光二极体(LED)结构至该反射结构；以及移除该第二基材。如申请专利范围第14项所述之发光二极体(LED)元件之制造方法，其中该反射结构包括二氧化矽。如申请专利范围第13项所述之发光二极体(LED)元件之制造方法，其中形成该反射结构包括形成交替的一第一非金属层与一第二非金属层。如申请专利范围第13项所述之发光二极体(LED)元件之制造方法，其中形成该反射结构包括形成交替的高孔隙度(high-porosity)矽层与低孔隙度(low-porosity)矽层。如申请专利范围第13项所述之发光二极体(LED)元件之制造方法，其中该反射结构包括一全方位反射器(omni-directional reflector)。如申请专利范围第13项所述之发光二极体(LED)元件之制造方法，其中该反射结构包括交替的矽(Si)与矽化锗(SixGe1-x)、矽(Si)与碳化矽(SixC1-x)、矽化锗(SixGe1-x)与碳化矽(SixC1-x)或碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)。