| 发明名称 | 半导体衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种使外延膜平坦化并形成杂质扩散层之后形成也能够在定位中使用的定位标记的半导体衬底。在N+型衬底(1)的定位区域形成沟槽(11)，利用该沟槽(11)形成N-型层(2)之后，残留空隙(3)。能够利用该N+型衬底(1)中所形成的空隙作为定位标记。因此，使用这样的半导体衬底，能够在之后的半导体装置的制造步骤中取得定位，能够在所希望的位置上准确地形成构成半导体装置的各要素。 | ||
| 申请公布号 | CN101278377B | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN200680036884.X | 申请日期 | 2006.10.05 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司;株式会社电装 | 发明人 | 野上彰二;山冈智则;山内庄一;辻信博;森下敏之 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体衬底的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：准备由单晶半导体构成的衬底(1)；在所述衬底(1)上配置掩模材料(10)，该掩模材料(10)在该衬底的与器件形成区域不同的定位区域形成有开口部；在由所述掩模材料(10)覆盖的状态下刻蚀所述衬底(1)，在所述定位区域形成定位标记形成用沟槽(11)；一边使得在所述定位标记形成用沟槽中形成空隙(3)，一边在所述衬底表面上形成由单晶构成的半导体层(2)。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||