| 发明名称 | 金属互连结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种金属互连结构及其形成方法，其中金属互连结构的形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成介质层；在所述介质层内形成分立的金属互连层，所述金属互连层表面与介质层表面齐平；在金属互连层上形成金属帽盖层；在介质层和金属帽盖层上形成分子筛；透过分子筛向介质层通入反应气体，去除部分介质层，在至少一对相邻的金属互连层之间形成空气间隔。本技术方案通过在介质层和金属帽盖层上形成分子筛，并透过分子筛向介质层通入反应气体，去除部分介质层，形成空气间隔，这样可以减小寄生电容，且制作工艺简单，从而改善半导体器件的电压击穿和与时间相关的介质击穿特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102832197A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201110161470.2 | 申请日期 | 2011.06.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李凡;张海洋 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种金属互连结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成介质层；在所述介质层内形成分立的金属互连层，所述金属互连层表面与介质层表面齐平；在所述金属互连层上形成金属帽盖层；在所述介质层和金属帽盖层上形成分子筛；透过所述分子筛向所述介质层通入反应气体，去除部分介质层，在至少一对相邻的金属互连层之间形成空气间隔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||