发明名称 一种上桥臂N沟道场效应管驱动电路
摘要 本实用新型涉及一种上桥臂N沟道场效应管驱动电路,由升压电路和N沟道场效应管驱动电路组成。其中所述升压电路由以555为核心的脉冲发生芯片和相关辅助器件构成。所述的N沟道场效应管驱动电路包含场效应管Q4,三极管Q1、Q2、Q3,电阻R2、R4、R5、R6,二极管D3,以及负载。相对于传统的驱动电路,能够实现100%的占空比的输出,电路结构简单,成本较为低廉。
申请公布号 CN202617078U 申请公布日期 2012.12.19
申请号 CN201220122856.2 申请日期 2012.03.21
申请人 浙江理工大学 发明人 顾敏明;潘海鹏;王惠姣;蒋琳
分类号 H03K17/687(2006.01)I 主分类号 H03K17/687(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种上桥臂N沟道场效应管驱动电路,其特征在于包含升压电路1和N沟道场效应管驱动电路2,所述的升压电路1包含555定时芯片U1,电阻R1,电容C1、C2、C3、C4、C5,二极管D1、D2,以及直流电压36V和直流电压12V;所述的555定时芯片U1的TH端和TR端直接连接,并通过电阻R1同555定时芯片U1的OUT端相连,所述的555定时芯片U1的TH端和TR端同GND之间还由电容C1相连,所述的555定时芯片U1的VC端同GND之间还有电容C2相连;所述的N沟道场效应管驱动电路2包含场效应管Q4,三极管Q1、Q2、Q3,电阻R2、R4、R5、R6,二极管D3,以及负载;所述的场效应管Q4的漏极接入直流电压36V,源级通过负载与GND相连;输入信号由SIG端输入,经过R4、Q2后驱动三极管Q1,再由Q1的集电极输出到三极管Q3、D3、R6,由于R6和Q3都与场效应管Q4的门级相连。
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