发明名称 集成电路结构
摘要 本发明公开了一种集成电路结构,包括一静态随机存取存储器单元,其包括一第一直鳍及实际上不与该第一直鳍相连接的一弯鳍。弯鳍有一第一部分及一第二部分平行于第一直鳍。介于弯鳍的第一部分和直鳍之间的距离小于介于弯鳍的第二部分和直鳍之间的距离。静态随机存取存储器单元包括一下拉晶体管,其包括一第一栅极长条的一部分,其分别形成具有直鳍及弯鳍的第一部分的第一及第二次下拉晶体管。静态随机存取存储器单元还包括一传输门晶体管,包括一第二栅极长条的一部分,其形成具有直鳍的第一次传输门晶体管。下拉晶体管包括超过传输门晶体管数目的鳍。本发明实施例中静态随机存取存储器元件的beta比增加至大于1,单元稳定性被改善。
申请公布号 CN102122660B 申请公布日期 2012.12.19
申请号 CN201010581311.3 申请日期 2010.12.06
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 廖忠志
分类号 H01L27/11(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;G11C11/412(2006.01)I 主分类号 H01L27/11(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 张浴月;刘文意
主权项 一种集成电路结构,包括:一静态随机存取存储器单元,包括一第一直鳍;一弯鳍,实际上不与该第一直鳍相连接,其中该弯鳍包括一第一部分及一第二部分皆平行于该第一直鳍,其中该弯鳍的第一部分与该第一直鳍有一第一距离,以及该弯鳍的第二部分与该第一直鳍有一大于该第一距离的一第二距离;一该弯鳍的第三部分,不平行于该第一直鳍以及与该第一部分及该第二部分相互连接;一下拉晶体管,包括一第一栅极长条的一部分,其中该第一栅极长条形成一第一及一第二次下拉晶体管,该第一及一第二次下拉晶体管分别有该第一直鳍及该弯鳍的第一部分;以及一传输门晶体管,包括一第二栅极长条的一部分,其中该第二栅极长条形成一有该第一直鳍的第一次传输门晶体管,其中在该下拉晶体管的鳍的数目大于在该传输门晶体管的鳍的数目。
地址 中国台湾新竹市