| 发明名称 |
SELECTIVE WET ETCHING OF HAFNIUM ALUMINUM OXIDE FILMS |
| 摘要 |
Methods and etchant compositions for wet etching to selectively remove a hafnium aluminum oxide (HfAlOx) material relative to silicon oxide (SiOx) are provided.
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| 申请公布号 |
US2012306059(A1) |
申请公布日期 |
2012.12.06 |
| 申请号 |
US201213585072 |
申请日期 |
2012.08.14 |
| 申请人 |
RAGHU PRASHANT;YANG YI;MICRON TECHNOLOGY, INC. |
发明人 |
RAGHU PRASHANT;YANG YI |
| 分类号 |
H01L23/58;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L23/58 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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