| 发明名称 | 一种应变Si垂直沟道PMOS集成器件及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用微米级工艺制备应变Si垂直沟道PMOS集成器件及制备方法，该方法通过外延材料制备步骤、隔离制备步骤、漏连接区制备步骤和PMOS形成步骤，形成PMOS器件；最后通过构成PMOS集成电路步骤构成导电沟道长度为22～45nm的PMOS集成电路，本发明利用压应变Si空穴迁移率高于弛豫Si的特点，在微米级Si集成电路加工工艺平台上，在低温下制造出性能优异的应变Si垂直沟道PMOS集成器件及电路。 | ||
| 申请公布号 | CN102810568A | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN201210244400.8 | 申请日期 | 2012.07.16 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 张鹤鸣;王海栋;胡辉勇;宋建军;宣荣喜;王斌;周春宇;郝跃 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种应变Si垂直沟道PMOS器件，其特征在于，所述器件导电沟道为回型，且沟道方向与衬底表面垂直。 | ||
| 地址 | 710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 | ||