光学半导体模组及光接收元件

摘要

一种光学半导体模组，包含：一发光元件；一光接收元件在其一顶面与一侧面上具有一光接收面，且该光接收面有一防反射膜形成于其上；及一安装单元具有该发光元件和该光接收元件以一位置关系安装其上，而使由该发光元件发出的光会至少光学性连接于该光接收元件之侧面的光接收面上。

主权项

一种光学半导体模组，包含：一发光元件；一光接收元件，其系一凸台式光二极体，具有一光接收面在该光接收元件之一凸台之一顶面和一侧面上，并有一防反射膜被直接形成于该顶面及该侧面上；及一安装单元，具有该发光元件和该光接收元件以一位置关系安装其上，而会使由该发光元件发出的光系至少光学性连接于该光接收元件之该侧面的光接收面上；其中该光接收元件具有一光吸收层，一第一导电性类型的半导体层，及一第二导电性类型的半导体层，该光吸收层系中介于该第一导电性类型的半导体层和该第二导电性类型的半导体型之间；且至少该第二导电性类型的半导体层及该光吸收层系延伸至该侧面，使得经由该顶面及该侧面而入射在该光吸收层上的光会被转换成电信号。如申请专利范围第1项之光学半导体模组，其中该发光元件和该光接收元件系被安装在该安装单元的同一平面上。如申请专利范围第1项之光学半导体模组，其中该光接收元件的顶面系在一比该发光元件之一顶面更低的水平。如申请专利范围第3项之光学半导体模组，其中该光接收元件具有数侧面呈一倒反的凸台形状。如申请专利范围第1项之光学半导体模组，更包含：一反射膜其系被设在该光接收元件面对该发光元件之该侧面的相反侧之另一侧面上。如申请专利范围第4项之光学半导体模组，其中该反射膜系由SiO2/TiO2，TiON，Si，Au，Ag和AuGe等之一者所制成。如申请专利范围第1项之光学半导体模组，其中该光接收元件的该侧面具有一平直表面。如申请专利范围第1项之光学半导体模组，其中：该光学半导体模组更包含一第一接垫与一第二接垫，它们系被设在通过该光接收元件的该光接收面之该光接收元件的相反侧上，并分别地连接于该第一导电性类型的半导体层和该第二导电性类型的半导体层。如申请专利范围第8项之光学半导体模组，其中该第一接垫和第二接垫的至少一者系被设在该第一接垫和第二接垫之另一者的两侧。如申请专利范围第1项之光学半导体模组，其中该防反射膜系为一多层膜。一种光接收元件，其可监测由一发光元件所发出的光，该光接收元件系一凸台式光二极体，包含：一光接收面，系形成于该光接收元件之一顶面和一侧面上，并有一防反射膜直接形成于该顶面及该侧面上；其中该光接收元件具有一光吸收层，一第一导电性类型的半导体层，及一第二导电性类型的半导体层，该光吸收层系中介于该第一导电性类型的半导体层和该第二导电性类型的半导体型之间；且至少该第二导电性类型的半导体层及该光吸收层系延伸至该侧面，使得经由该顶面及该侧面而入射在该光吸收层上的光会被转换成电信号。如申请专利范围第11项之光接收元件，其中该光接收元件的数侧面系被制成呈一倒反的凸台形状。如申请专利范围第11项之光接收元件，更包含：一反射膜系被形成在该光接收表面上之一不同于位在该光接收面中之该侧面的侧面上。如申请专利范围第13项之光接收元件，其中该反射膜系由SiO2/TiO2，TiON，Si，Au，Ag和AuGe等之一者所制成。如申请专利范围第11项之光接收元件，更包含：一电极，系被形成于该光接收元件之该顶面上；一互接物，系连接于该电极，并延伸至该光接收面的外侧；及一电极垫，系连接于该互接物。如申请专利范围第11项之光接收元件，其中该侧面系入射光的主要接收面。