| 主权项 |
一种能够催化烯系不饱和化合物之羰基化作用的催化剂系统，该系统可藉由组合以下物质获得：a)VIB族或VIIIB族金属或其化合物，b)双齿膦、胂或氢化锑配位基，及c)酸，其中该配位基与该金属或该金属化合物中之该金属相比以至少2：1之莫耳过量存在，且该酸与该配位基相比以大于5：1至95：1范围之莫耳过量存在。如请求项1之催化剂系统，其中该配位基与该金属之比在5：1至750：1范围内。如请求项1之催化剂系统，其中该酸与该金属之莫耳比在10：1至75000：1范围内。一种能够催化烯系不饱和化合物之羰基化作用的催化剂系统，该系统可藉由组合以下物质获得：a)VIB族或VIIIB族金属或其化合物，b)双齿膦、胂或氢化锑配位基，及c)酸，其中该配位基与该金属或该金属化合物中之该金属之比例系在5：1至750：1之范围，且该酸与该配位基相比以大于2：1之莫耳过量存在。如请求项1或4之催化剂系统，其中该配位基为双齿膦配位基。如请求项1至4中任一项之催化剂系统，其中该配位基与该金属之比在50：1至250：1范围内。如请求项1至4中任一项之催化剂系统，其中该配位基与该金属之比在20：1至40：1范围内。如请求项1至4中任一项之催化剂系统，其中该酸与该配位基之比在20：1至40：1范围内。如请求项1至4中任一项之催化剂系统，其中该酸与该金属之莫耳比在100：1至25000：1范围内。如请求项1至4中任一项之催化剂系统，其中该酸与该金属之莫耳比在200：1至400：1范围内。如请求项1或4之催化剂系统，其中该配位基具有通式(I)@sIMGTIF!d10016.TIF@eIMG!其中：Ar为包含视情况经取代之芳基部分的桥基，磷原子键接至该芳基部分之可用相邻碳原子上；A及B各自独立表示低碳数伸烷基；K、D、E及Z为芳基部分(Ar)之取代基且各自独立表示氢、低碳数烷基、芳基、Het、卤基、氰基、硝基、OR19、OC(O)R20、C(O)R21、C(O)OR22、NR23R24、C(O)NR25R26、C(S)R25R26、SR27、C(O)SR27或-J-Q3(CR13(R14)(R15)CR16(R17)(R18)，其中J表示低碳数伸烷基；或两个相邻的选自K、Z、D及E之基团连同其所连接之芳环之碳原子一起形成另一苯环，其视情况经一或多个选自氢、低碳数烷基、卤基、氰基、硝基、OR19、OC(O)R20、C(O)R21、C(O)OR22、NR23R24、C(O)NR25R26、C(S)R25R26、SR27或C(O)SR27之取代基取代；R13至R18各自独立表示低碳数烷基、芳基或Het；R19至R27各自独立表示氢、低碳数烷基、芳基或Het；R1至R12各自独立表示低碳数烷基、芳基或Het；其中该"Het"包括4至12员环系统，该等环含有一或多个选自氮、氧、硫及其混合物之杂原子，且该等环可含有一或多个双键或在性质上为非芳族、部分芳族或全芳族，其中该环系统可为单环、双环或稠合的；其中各"Het"基团系视情况经一或多个选自卤基、氰基、硝基、酮基、低碳数烷基、OR19、OC(O)R20、C(O)R21、C(O)OR22、NR23R24、C(O)NR25R26、SR27、C(O)SR27或C(S)R25R26之取代基取代，其中R19至R27各自独立表示氢、芳基或低碳数烷基；或"Het"基团亦可呈N氧化物形式；Q1、Q2及Q3(当存在时)各自独立表示磷、砷或锑，且在后两种状况下对以上之膦或磷的引述相应地作修正。如请求项11之催化剂系统，其中至少一与Q1及/或Q2连接之(CRxRyRz)基团，即CR1R2R3、CR4R5R6、CR7R8R9、CR10R11R12、CR13R14R15或CR16R17R18，可替代为由基团(Ad)表示，其中： |
