| 摘要 |
Изобретение относится к технологии формирования тонких полупроводниковых CIGS-пленок для солнечных батарей на подложках из листового стекла и к устройствам для вакуумного напыления, реализующим такую технологию в условиях массового промышленного производства. Задачей, решаемой данным изобретением, является создание способа формирования тонкопленочных слоев CIGS для солнечных батарей на подложках большого размера, который позволяет в условиях массового производства получать оптимальный интегральный состав материала и эффективность превращения солнечной энергии в электричество и обеспечить надежную воспроизводимость технологии в массовом производстве на больших подложках при снижении себестоимости производства. Поставленная задача решается тем, что в известном способе формирования тонких пленок CIGS материал наносят последовательными слоями методом реактивного распыления в парах элементарного селена с использованием последовательно расположенных магнетронных станций распыления, при этом в качестве катодов магнетронных станций на позициях, формирующих нечетные слои, используют сплав Cu-In-Ga, в котором соотношения атомной концентрации Cu/(In+Ga) [Cu/III] и Ga/(In+Ga) [Ga/III] выбирают в пределах [Cu/III]=0,47-0,51, a [Ga/III]=0,25-0,3, а в качестве катодов магнетронных станций на позициях, формирующих четные слои, используют сплав Cu-Ga, в котором соотношения атомных концентраций Cu/Ga=2,5-2,8. Имеются и другие отличия способа и устройства от прототипа. |
