REDUCTION DU COURANT DE PROGRAMMATION DES MATRICES MEMOIRES

摘要

Procédé de programmation électrique d'au moins une partie d'un secteur d'une mémoire non volatile, caractérisé en ce qu'il comprend une étape consistant à générer un potentiel de programmation dans une ligne de bit liée à au moins deux cellules mémoires du même secteur liées à deux caissons distincts portés à deux potentiels différents.