具压模包覆之保险丝结构及制造方法

摘要

本发明提供一种具压模包覆之保险丝结构及制造方法，在结构上包括有：一基板、一熔链部、二电极部、以及一保护体；其特征在于，所述的二电极部具有圆弧状电性端面，并延伸至熔链部正面、反面端部，且与熔链部之第一金属薄膜电性连结，又其二电极部系由一第一金属薄膜上形成一第三金属薄膜及一第四金属薄膜所构成；另该保护体，设有压模包覆，系施设高度压力成型所设置，具有高抗压力防爆特性。其制造方法，包括以下制程步骤：(A)提供一基板，使形成第一金属薄膜；(B)以钻床钻孔成型；(C)在钻孔成型之位置贴合或离子沉积，使形成一相同第一金属薄膜之侧面导通电极部；(D)制成切割对位线；(E)于电极部位置上之第一金属薄膜上形成第三金属薄膜；(F)于电极部位置上之第三金属薄膜上形成第四金属薄膜；(G)形成背面电极部；(H)于正面蚀刻第一金属薄膜，形成所需之熔链部基材，并同步形成正面电极部；(I)于正面第一金属薄膜上依熔断特性，形成一较小于第一金属薄膜之第二金属薄膜，形成熔链部；(J)形成保护体，设有压模包覆，系以高度压力成型所设置，完全覆盖设置该熔链部上，具有高抗压力防爆特性，达成保护该熔链部作用；(K)将该包覆体上，印刷设置一规格标示；(L)切割成粒，完成成品。

主权项

一种具压模包覆之保险丝结构，具有：一基板，其导热系数(thermal conductivity)在1瓦特/公尺克耳文(W/mK)以下，提供形成晶片保险丝之基础；一熔链部，设于基板上，其系由一第一金属薄膜延伸至基板端部，且在第一金属薄膜上形成一较小于第一金属薄膜之第二金属薄膜；二电极部，系分别设于熔链部之两侧端部；以及一保护体，系设置完全覆盖该熔链部上，达成保护作用；其特征在于，所述的二电极部具有圆弧状电性端面，并延伸至熔链部正面、反面端部，且与熔链部之第一金属薄膜电性连结，又其二电极部系由一第一金属薄膜上形成一第三金属薄膜及一第四金属薄膜所构成；另该保护体，设有压模包覆，系施设高度压力成型所设置，具有高抗压力防爆特性。如申请专利范围第1项所述之具压模包覆之保险丝结构，其中该熔链部之形状可为直线或曲线或螺旋线条。如申请专利范围第1项所述之具压模包覆之保险丝结构，其中该基板，系为BT(Bismaleimide Triazine；BT)或PCB(Printed Circuit Board；PCB)材质。如申请专利范围第1项所述之具压模包覆之保险丝结构，其中该熔链部系设置该基板正面者。如申请专利范围第1项所述之具压模包覆之保险丝结构，其中该熔链部系设置该基板正面及反面者。一种具压模包覆保险丝之制造方法，其包括以下制程步骤：(A)提供一基板，于该基板的正/反面贴合或离子沉积，使形成第一金属薄膜；(B)以钻床钻孔成型；(C)在钻孔成型之位置贴合或离子沉积，使形成一相同第一金属薄膜之侧面导通电极部；(D)制成切割对位线；(E)于电极部位置上之第一金属薄膜上形成第三金属薄膜，不要形成位置的第一金属薄膜以微影(光阻)或印刷方式覆盖保护；(F)于电极部位置上之第三金属薄膜上形成第四金属薄膜，不要形成位置的第三金属薄膜以微影(光阻)或印刷方式覆盖保护；(G)于背面两侧蚀刻第一金属薄膜，形成背面电极部；(H)于正面蚀刻第一金属薄膜，形成所需之熔链部基材，并同步形成正面电极部；(I)于正面第一金属薄膜上依熔断特性，形成一较小于第一金属薄膜之第二金属薄膜，形成熔链部，其中该第二金属薄膜熔点系低于第一金属薄膜，其第二金属薄膜尺寸依熔断特性可自由改变；(J)形成保护体，设有压模包覆，系以高度压力成型所设置，完全覆盖设置该熔链部上，具有高抗压力防爆特性，达成保护该熔链部作用；(K)将该包覆体上，印刷设置一规格标示；(L)切割成粒，完成成品。如申请专利范围第6项所述之具压模包覆保险丝之制造方法，其中该制程步骤(D)具有以下子步骤：(D-1)压膜切割对位线；(D-2)曝光切割对位线；(D-3)显影切割对位线；(D-4)蚀刻切割对位线；(D-5)去膜切割对位线。如申请专利范围第6项所述之具压模包覆保险丝之制造方法，其中该制程步骤(G)具有以下子步骤：(G-1)压膜背面电极部；(G-2)曝光背面电极部；(G-3)显影背面电极部；(G-4)蚀刻背面电极部；(G-5)去膜背面电极部。如申请专利范围第6项所述之具压模包覆保险丝之制造方法，其中该制程步骤(H)具有以下子步骤：(H-1)压膜正面电极部；(H-2)曝光正面电极部；(H-3)显影正面电极部；(H-4)蚀刻正面电极部；(H-5)去膜正面电极部。如申请专利范围第6项所述之具压模包覆保险丝之制造方法，其中该制程步骤(I)可另具有以下子步骤：(I-1)于反面第一金属薄膜上依熔断特性，形成一较小于第一金属薄膜之第二金属薄膜，形成熔链部，其中该第二金属薄膜熔点系低于第一金属薄膜，其第二金属薄膜尺寸依熔断特性可自由改变。