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发明名称 FORMING METHOD OF GALLIUM NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, TRANSFER METHOD OF THE SAME, AND SUBSTRATE STRUCTURE WITH THE SAME BONDED THERETO
摘要
申请公布号 KR101200804(B1) 申请公布日期 2012.11.13
申请号 KR20090104802 申请日期 2009.11.02
申请人 发明人
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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