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一种用于对金属表面镀Ag之镀敷组成物，该组成物包括Ag离子来源、包括伸烷基多胺多醋酸化合物之调节剂、与水，其中该组成物的Ag离子含量为约0.01~2 g/l，以使该组成物的室温导电率低于约10mS/cm，且该组成物的pH值介于1与3之间。如申请专利范围第1项之组成物，其中该伸烷基多胺多醋酸化合物包括伸烷基多胺多醋酸化合物之无硷土金属/硷金属来源。如申请专利范围第1项之组成物，其中该调节剂包括N-(2-羟基乙基)乙二胺三醋酸，其系来自N-(2-羟基乙基)乙二胺三醋酸之无硷土金属/硷金属来源。如申请专利范围第1项之组成物，其中该组成物进一步包括一伸烷基多胺多醋酸化合物，而且该组成物的pH值介于1与约2之间。一种用于对金属表面镀Ag之镀敷组成物，该组成物包括Ag离子来源、抑制Ag沈积之胺基酸抑制剂、与水，其中该组成物的Ag离子含量为约0.01~2 g/l，以使该组成物的室温导电率低于约25mS/cm。如申请专利范围第5项之组成物，其中该胺基酸抑制剂系选自丙胺酸之对掌性异构物与消旋混合物。如申请专利范围第5项之组成物，其中该胺基酸抑制剂系DL-丙胺酸。如申请专利范围第5项之组成物，其中该组成物之pH值介于约4与5之间。如申请专利范围第5项之组成物，其中该组成物进一步包括一乙内醯胺衍生物。如申请专利范围第5项之组成物，其中该组成物进一步包括5,5-二甲基乙内醯胺。如申请专利范围第1项之组成物，其中该组成物进一步包括环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物添加剂。如申请专利范围第11项之组成物，其中该环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物的PO：EO单位比约3：4。如申请专利范围第11项之组成物，其中该环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物的PO：EO单位比系3：4+/-10%。如申请专利范围第11项之组成物，其中该环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物的PO：EO单位比约5：3。如申请专利范围第11项之组成物，其中该环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物的PO：EO单位比系5：3+/-10%。如申请专利范围第5项之组成物，其中其中该组成物之离子含量使其室温导电率低于约10mS/cm。申请专利范围第1项之组成物，其中该调节剂包括N-(2-羟基乙基)乙二胺三醋酸。如申请专利范围第16项之组成物，其中该组成物进一步包括环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物添加剂。如申请专利范围第18项之组成物，其中该环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物的PO：EO单位比约3：4。如申请专利范围第18项之组成物，其中环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物的PO：EO单位比系3：4+/-10%。如申请专利范围第18项之组成物，其中该环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物的PO：EO单位比约5：3。如申请专利范围第18项之组成物，其中环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物的PO：EO单位比系5：3+/-10%。一种对金属表面镀Ag之方法，其包括：使该金属表面与申请专利范围第1至22中任一项之组成物接触；及在该金属表面上经由浸渍置换方法而形成以Ag为底质之涂层，该Ag为底质之涂层包括至少约80原子%Ag(整体平均)。如申请专利范围第23项之方法，其中该Ag为底质涂层包括至少约90原子%Ag(整体平均)。一种用于对金属表面镀Ag之组成物，其系在镀敷条件下藉由置换镀敷进行镀敷，其中该金属表面之金属系作为该Ag离子的还原剂，在该金属表面上形成Ag为底质涂层，该组成物包括：a)Ag离子来源；b)伸烷基多胺多醋酸化合物；c)环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物添加剂；以及d)水；其中，其中该组成物的Ag离子含量为约0.01~2 g/l，以使该组成物的室温导电率低于约25mS/cm，且该组成物的pH值介于1与约3之间。如申请专利范围第25项之组成物，其中该伸烷基多胺多醋酸化合物系N-(2-羟基乙基)乙二胺三醋酸。如申请专利范围第25项之组成物，其中该伸烷基多胺多醋酸化合物系N-(2-羟基乙基)乙二胺三醋酸之无硷土金属/硷金属来源。一种用于对金属表面镀Ag之组成物，其系在镀敷条件下藉由置换镀敷进行镀敷，其中该金属表面之金属系作为该Ag离子的还原剂，在该金属表面上形成Ag为底质涂层，该组成物包括：a)Ag离子来源；b)抑制Ag沈积之胺基酸抑制剂，其在介于约4与约5之间的PH值发生作用，以减缓Ag沈积速率；以及c)水；其中该组成物的Ag离子含量为约0.01~2 g/l，以使该组成物的室温导电率低于约25mS/cm。如申请专利范围第28项之组成物，其中该胺基酸抑制剂系选自丙胺酸之对掌性异构物与消旋混合物。如申请专利范围第28项之组成物，其中该胺基酸抑制剂系DL-丙胺酸。如申请专利范围第28项之组成物，其中该胺基酸抑制剂系选自丙胺酸之对掌性异构物与消旋混合物，且该组成物之pH值介于约4与约5之间。如申请专利范围第28项之组成物，其中该胺基酸抑制剂系DL-丙胺酸，且该组成物之pH值介于约4与约5之间。一种对金属表面镀Ag之方法，其包括：使该金属表面与申请专利范围第25至32中任一项之组成物接触，在该金属表面上形成以Ag为底质之涂层；及在该金属表面上经由浸渍置换方法而形成以Ag为底质之涂层，该Ag为底质之涂层包括至少约80原子%Ag(整体平均)。如申请专利范围第33项之方法，其中该Ag为底质涂层包括至少约90原子%Ag(整体平均)。如申请专利范围第1项之组成物，其中该组成物包括HEDTA、环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物添加剂以及锈蚀抑制剂。一种在印刷电路板基板的Cu表面上镀Ag之方法，其包括：使该Cu表面与申请专利范围第1至22、25至32或35中任一项之组成物接触，在该金属表面上形成以Ag为底质之涂层，该涂层包括至少约90原子%Ag(整体平均)；及在该金属表面上经由浸渍置换方法而形成以Ag为底质之涂层。 |
