光刻胶的去除方法

摘要

一种光刻胶的去除方法，所述方法利用在去除光刻胶的过程中，当压强在特定压强范围内变动和/或电源功率在特定电源功率范围内变动时，边缘位置光刻胶的去除速率与位置光刻胶的去除速率之差会减小，使光刻胶的去除均匀性会有明显改变的原理，通过不断调整压强和/或电源功率来获得多个光刻胶的去除均匀性，获取最小光刻胶去除均匀性所对应的压强及电源功率，根据所获得的压强及电源功率来设置光刻胶的去除工艺条件，使得待形成电路图形的半导体器件上的光刻胶去除更为均匀。

主权项

一种光刻胶的去除方法，其特征在于，包括：（a）确定去除光刻胶所需的压强范围及电源功率范围；（b）在所述压强范围内选择M个不同的压强值，依次分别为第一压强、第二压强、……、第M‑1压强、第M压强，M为大于1的整数，在所述电源功率范围内选择N个不同的电源功率值，依次分别为第一电源功率、第二电源功率、……、第N‑1电源功率、第N电源功率，N为大于1的整数，将所述M个不同的压强值与所述N个不同的电源功率值两两进行组合从而获得M×N个工艺参数组合；（c）将表面形成有光刻胶的半导体结构置于等离子体处理腔室中，所述等离子体处理腔室内设有呈相对设置的上电极、下电极，所述上电极或下电极与射频电源电连接，以预设流量向所述等离子体处理腔室中通入含有氮气的灰化气体，控制等离子体处理腔室的压强、并将电源功率供给至与所述射频电源连接的上电极或下电极，在所述上电极与下电极之间产生等离子体以刻蚀光刻胶，所述压强及电源功率符合所述M×N个工艺参数组合中的任意一个，刻蚀一段时间之后，停止去除光刻胶，测量若干位置处光刻胶的去除速率，以计算获得光刻胶的第一去除均匀性；（d）重复所述步骤（c）M×N‑1次，确保M×N次进行所述步骤（c）时所采用的工艺参数组合互不相同，从而依次获得光刻胶的第二去除均匀性、……、第M×N‑1去除均匀性、第M×N去除均匀性；（e）比较获得的所述第一去除均匀性、第二去除均匀性、……、第M×N‑1去除均匀性、第M×N去除均匀性，将最小去除均匀性所对应的压强及电源功率分别作为最佳压强、最佳电源功率；（f）将表面形成有光刻胶的待形成电路图形的半导体结构置于等离子体处理腔室中，向所述等离子体处理腔室中通入含有氮气的灰化气体，控制等 离子体处理腔室的压强为所述最佳压强、并将所述最佳电源功率供给至与所述射频电源连接的上电极或下电极，在所述上电极与下电极之间产生等离子体以去除光刻胶。