| 发明名称 | 半导体元件及制造方法 | ||
| 摘要 | 一种抵抗寄生双极晶体管的形成的半导体元件和使用数量减少的掩模步骤来制造该半导体元件的方法。提供了具有P型传导性的区域的N型传导性的半导体材料。N型传导性的掺杂区在P型传导性的区域内形成。沟槽在半导体材料中形成并延伸通过N型和P型传导性的区域。场氧化物由半导体材料形成，以使沟槽的部分延伸到场氧化物之下。场氧化物在形成源极区时用作注入掩模。体接触区由半导体材料形成，以及形成与源极区和体区接触的电导体。形成与半导体材料的背面接触的电导体。 | ||
| 申请公布号 | CN101290910B | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN200810090722.5 | 申请日期 | 2008.03.31 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | P·文卡特拉曼;G·M·格利弗纳;F·Y·罗伯;G·常;C·卡斯蒂尔 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 郭放 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体元件的方法，包括：提供具有第一主表面和第二主表面、有源区和周边区的半导体材料；在所述半导体材料中形成一个或更多沟槽，所述沟槽从所述有源区延伸到所述周边区；以及由所述半导体材料的周边区形成场氧化物，其中所述一个或更多沟槽直接延伸到所述场氧化物之下。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||