PIP、PPS电容器的制作方法

摘要

本发明涉及一种PIP电容器的制作方法，包括：在衬底中形成浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构上沉积第一多晶硅；刻蚀所述第一多晶硅以暴露出所述浅沟槽隔离结构的边缘；在所述第一多晶硅和所述浅沟槽隔离结构上依次沉积第一介质层、第二多晶硅和第二介质层；依次刻蚀所述第二介质层、第二多晶硅和第一介质层，形成暴露出所述第一多晶硅顶部的第一接触孔，并刻蚀所述第二介质层，形成暴露出所述第二多晶硅顶部的第二接触孔；在所述上述结构表面沉积金属，形成互连线。本发明在PIP电容器制作中形成一个与PIP电容并联的电容，从而提高单位面积电容。

主权项

一种PIP电容器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底中形成浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构上沉积第一多晶硅，刻蚀所述第一多晶硅以暴露出所述浅沟槽隔离结构的边缘；在所述第一多晶硅和所述浅沟槽隔离结构上依次沉积第一介质层、第二多晶硅和第二介质层；依次刻蚀所述第二介质层、第二多晶硅和第一介质层，形成暴露出所述第一多晶硅顶部的第一接触孔，并刻蚀所述第二介质层，形成暴露出所述第二多晶硅顶部的第二接触孔；在所述第一接触孔内、第二接触孔内和第二介质层表面沉积金属，形成互连线。