沟槽场效应晶体管的制作方法

摘要

本发明涉及一种沟槽场效应晶体管的制作方法，包括以下步骤：在一半导体衬底中形成沟槽；在沟槽内壁和半导体衬底上表面沉积二氧化硅，并用包括N2O的气体进行退火，去除半导体衬底上表面的二氧化硅以在沟槽内形成栅氧；在半导体衬底上表面和栅氧表面上沉积多晶硅，去除半导体衬底上表面的多晶硅以在沟槽内形成栅极；对所述沟槽两侧的半导体衬底进行离子注入，形成源区。本发明的沟槽场效应晶体管在形成栅氧时，用N2O进行退火，由于N原子具有补偿栅氧表面的氧化物陷阱以及栅氧和硅的界面陷阱，减少栅氧表面悬挂键和栅氧与硅的界面态，降低界面应力，提高栅氧的抗击穿能力，从而降低沟槽场效应晶体管的漏电流，降低沟槽场效应晶体管的功耗。

主权项

一种沟槽场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在一半导体衬底中形成沟槽；在沟槽内壁和半导体衬底上表面沉积二氧化硅，并用包括N2O的气体进行退火，去除半导体衬底上表面的二氧化硅以在沟槽内形成栅氧；在半导体衬底上表面和栅氧表面上沉积多晶硅，去除半导体衬底上表面的多晶硅以在沟槽内形成栅极；对所述沟槽两侧的半导体衬底进行离子注入，形成源区。