| 发明名称 | 增强IGBT可靠性的器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种增强IGBT可靠性的器件制造方法；包括以下步骤：步骤一、先刻蚀硅表面上的二氧化硅阻挡层；步骤二、去除光刻胶，以二氧化硅作为阻挡层，继续刻蚀硅槽至所需的深度；步骤三、进行垂直注入载流子在槽的底部；步骤四、送入高温炉管进行栅氧的氧化；步骤五、然后进行P沟道的注入和推阱；步骤六、再做正面的源及互联工艺；步骤七、最后再做背面的集电极工艺。本发明通过对深沟槽的底部进行掺杂注入，使得在形成栅氧工艺的过程中一次性形成底部比沟槽侧壁沟道区域更厚的栅氧，从而提高了深沟槽的IGBT的高温可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102737973A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201110309661.9 | 申请日期 | 2011.10.13 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王海军 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 孙大为 |
| 主权项 | 一种增强IGBT可靠性的器件制造方法；其特征在于，包括以下步骤：步骤一、先刻蚀硅表面上的二氧化硅阻挡层；步骤二、去除光刻胶，以二氧化硅作为阻挡层，继续刻蚀硅槽至所需的深度；步骤三、进行垂直注入载流子在槽的底部；步骤四、送入高温炉管进行栅氧的氧化；步骤五、然后进行P沟道的注入和推阱；步骤六、再做正面的源及互联工艺；步骤七、最后再做背面的集电极工艺。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||